晶体管元件查询
型号：SWD8N65D
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】173 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】173 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.4 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管IRFP460LCFLC081WFMTP10N35SGI360N60W3IXFK32N60SVF12N65KSTFI4N62K3STD11N65M2SUP57N20LSF70R640GTKS6205GBMGFC36V5258IRFK6JC50HFP8302SK213