晶体管元件查询
型号：STP4N150
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：1500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：7 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管SGT420N80W3MGF1402IRFP448FSW1190ALSB55R140GTLSGC10R080W32SK3505-01MRFTP16N06BHY3912W2SK3677SVT085R5NT2SK2388DHB130N03P6N60FHP150N06