晶体管元件查询
型号：SUB85N03-04P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：166 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】85 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】85 A
漏极和源极电压（VDSS）：30 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0043 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管SGD660N70W3OR7080IRFU3806PbFIRF640NSTFW4N150IRC254SIF7N80C30N062SK369FLM4450-8B/DBUZ36STP10NK70ZFPNCEP15T14SSF9N80AFHP8N60