晶体管元件查询
型号：H5N3011P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】150 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】150 W
漏极电流（ID）：
【环境温度（Ta）＝25 ℃】88 A
【环境温度（Ta）＝25 ℃】88 A
漏极和源极电压（VDSS）：300 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.048 Ω
封装：TO-3P
更多N沟道场效应管NTB5860NT4GP20N60TD2TSI8N60MGNW190N08Q2SK3564JCS8N60BFSX03FA/LGIRFSL4310PbFSTF12NM50NFHP540LNL045R090FHX06FA/LGFLM1011-4CFTZ127STW6NB90