晶体管元件查询
型号：SVD13N50F
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】51 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】51 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】13 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】13 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.52 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管IXFK73N30QBSC054N04NS(054N04NS)FLM6472-14/DCS8N65FOR7080NCE40H20ASPA12N50C3JCS5N50VTAOD4082SK2598BUZ34530N02MTP2N40IRFZ44CNS80N08R