晶体管元件查询
型号：SVD640D
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】110 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】110 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】18 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】18 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.15 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管SVF2N60DIRFI830IRF1310NPbFFLM1011-4CLSH60R380HTFKP250AIRF512SGD660N70W3STP20NM60MDP4N60IRF822BUK9540-100AIRFM340LSD65R380GFSVF8N60A