晶体管元件查询
型号：SVF13N50T
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：190 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】13 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】13 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.52 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管IRF2804PbFSSP4N60ASFTK65T260F(NCE65T260F)IRFS33N15DIRFM360IRFU222IRFF323LSB55R055GF2SK2347SSP7N60BIXTH6N80JCS4N65CSVD13N50FSPW47N60CFDFLC311MG-4