晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：SVF8N65T
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：150 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.4 Ω
封装：TO-220

更多N沟道场效应管2SK40032SK304CMP100N03IRFZ44CNFHP100N07IRFZ352SK133H5N3011PAOI4184FLC15MEMTP7N182SK1342BUZ358JCS4N65FIRFJ221

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