晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：SVG086R0NS
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】156 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：80 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.006 Ω
封装：TO-263

更多N沟道场效应管STP9NK50ZMGF1423SVD7N80IRFPE52TSA20N50MIRF3412SK4207FDH210N08FIR2N80LGSSH5N80AIPI120N04S4-01(4N0401)2SK32712N7219IRFR422MGF2430

中文 - English

电子爱好者