晶体管元件查询
型号：TK100E10N1
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：255 W
漏极电流（ID）：207 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0034 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管LNN06R062LNG045R210FSA04N60ASFP65N06S80N08RSVT085R5NT2SK1537IRFF121JCS730FFQD6N60C2SK3577NCE01H13DSGF180N60W3KIA2808AIRC254