晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：TSM4ND65CI
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】41 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.6 Ω
封装：TO-220F

更多N沟道场效应管A06N03YPI7575CJMSH1509AGFTP04D65MDP7N60IRF244SVD13N50FIRF255FQA9N90CSP85N802SK108BUZ341IRFK6H250FCPF380N60IRF233

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