晶体管元件查询
型号：TSP10N60M
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】162 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】162 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.8 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管IRFS4410ZPbFLSD65R380HTMTP2N2557N10TK13A60DHY3410B2SK42122SK690IRFF120OSF8N60CIRF232TK16E60W5IRFR022SVF7N65CMJLSVD15NE50