晶体管元件查询
型号：VCRR65T180D
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】188 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】188 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】21 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】21 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.18 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管2SK3587-01MRIRC634SRC60R140BTIRF4468MTP4N45SVG076R5NSCMD1402LSE70R640GT2SK4107LSGD10R080W3MTP10N40S70N08FHP4410JCS7HN60VFDH055N15A