晶体管元件查询
型号：WMO14N65C2
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：85 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.405 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管NCEP15T14BUZ10LNDN12N65IXFN200N06LNG05R075DHF140N09IRFG1Z0STW60N10FS3402(X2FS20)FTP11N08NSTP75NF75FPFQP7N80C2SK183V，183VESTP7NK80Z2SK1299