FZT788B硅PNP型高增益大功率三极管

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发布时间 2009-05-12

FZT788B是一个具有高增益的大功率晶体三极管,硅材料PNP型,平面扩散工艺制造。它采用SOT-223封装,外形和引脚排列如下所示:

FZT788B

FZT788B具有非常低的饱和压降和等效电阻,在3A工作电流时其CE饱和等效电阻为93mΩ。同时FZT788B有很高的放大能力,在IC=2A时放大系数为HFE=300。

FZT788B主要参数:

集电极-基极最高反向耐压VCBO=15V
集电极-发射极最高反向耐压VCEO=15V
发射极-基极最高反向耐压VEBO=5V
集电极最大电流ICM=8A
总耗散功率Ptot=2W
最高结温和贮藏温度范围Tstg=-55~150℃

集电极-发射极饱和压降VCE(sat):
0.15V (IC=0.5A, IB=2.5mA)
0.25V (IC=1A, IB=5mA)
0.45V (IC=2A, IB=10mA)
0.5V (IC=3A, IB=50mA)

其发射极直流电流放大倍数HFE:
500 (IC=10mA, VCE =2V)
400 (IC=1A, VCE =2V)
300 (IC=2A, VCE =2V)
150 (IC=6A, VCE =2V)

特征频率fT=100MHz

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