稳压二极管工作原理 稳压二极管也称齐纳二极管或反向击穿二极管，在电路中起稳定电压作用。它是利用二极管被反向击穿后，在一定反向电流范围内反向电压不随反向电流变化这一特点进行稳压的。 稳压二极管是一个特殊的面接触型的半导体硅二极管，通常由硅半导体材料采用合金法或扩散法制成。其伏安特性曲线与普通二极管相似，但反向击穿曲线比较陡。 稳压二极管工作于反向击穿区，由于它在电路中与适当电阻配合后能起到稳定电压的作用，故称为稳压管。稳压管反向电压在一定范围内变化时，反向电流很小，当反向电压增高到击穿电压时，反

单结晶体管（UJT）又称基极二极管，下面是早期国产单结晶体管BT31参数，它分为A~H共8个具体型号。 BT31A参数 分压比（）：0.3~0.55 基极间电阻（R BB ）：3~6k E对B1间反向电压：60V 反向电流：1A 峰值电流：2A 饱和压降：4V 调制电流：9~30mA 耗散功率：300mW BT31B参数 分压比（）：0.3~0.55 基极间电阻（R BB ）：5~10k E对B1间反向电压：60V 反向电流：1A 峰值电流：2A 饱和压降：4V 调制电流：9~30mA 耗散功率

单结晶体管（UJT）又称基极二极管，下面是早期国产单结晶体管BT32参数，它分为A~H共8个具体型号。 BT32A参数 分压比（）：0.3~0.55 基极间电阻（R BB ）：3~6k E对B1间反向电压：60V 反向电流：1A 峰值电流：2A 饱和压降：4.5V 调制电流：9~35mA 耗散功率：300mW BT32B参数 分压比（）：0.3~0.55 基极间电阻（R BB ）：5~10k E对B1间反向电压：60V 反向电流：1A 峰值电流：2A 饱和压降：4.5V 调制电流：9~35mA

单结晶体管（UJT）又称基极二极管，下面是早期国产单结晶体管BT33参数，它分为A~H共8个具体型号。 BT33A参数 分压比（）：0.3~0.55 基极间电阻（R BB ）：3~6k E对B1间反向电压：60V 反向电流：1A 峰值电流：2A 饱和压降：5V 调制电流：9~40mA 耗散功率：500mW BT33B参数 分压比（）：0.3~0.55 基极间电阻（R BB ）：5~10k E对B1间反向电压：60V 反向电流：1A 峰值电流：2A 饱和压降：5V 调制电流：9~40mA 耗散功率

1N4000系列与1N5000系列整流二极管参数 1N系列整流二极管是日本二极管的型号，下表是1N系列硅整流二极管参数值： 型 号 反向峰值电压 额定整流电流 正向浪涌电流 正向压降 反向电流 工作频率 1

型号 反向峰值电压 额定工作电流 正向浪涌电流 正向压降 反向电流 工作频率 2CZ53A 2CZ53B 2CZ53C 2CZ53D

最大反向峰值电压VRM 即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。 因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。 最大直流反向电压VR 上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。 最大浪涌电流Isurge 允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。 最大平均整流电流IO 在半波整流电路中

光敏二极管又叫光电二极管。 光敏二极管也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单向导电特性。它在电路中的符号是： 光敏二极管的重要特性就是把光能转换成电能。在没有光照时，光敏二极管的反向电阻很大，反向电流很微弱，称为暗电流。当有光照时，光子打在pn结附近，于是在pn结附近产生电子-空穴对，它们在pn结内部电场作用下作定向运动，形成光电流。光照越强，光电流越大。光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。 光敏二极管在应用电路中的两种工作状态：

稳压二极管(又叫齐纳二极管)，此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定。 稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。其伏安特性和电路符号见图1。 稳压二极管是用于稳定电压的单PN结二极管。结构同整流二极管。加在稳压二极管的反向电压增加到一定数值时，将可能有大量载流子隧穿PN结的位垒，形成大的反向电流，此时电压基本不变，称为隧道击穿

光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。同普通二极管一样，它的核心部分也是一个PN结，所不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。光敏二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换。 光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子---空穴对，称为光生载流

太阳跟踪器一：LED感应接力跟踪示意图 我一直在寻找真正的成本低，但准确的常规太阳能跟踪器。CDS（硫化镉）的跟踪是相当不错的，但缺乏精确度和灵敏度。我在想使用光伏电池作为传感器。我尝试用LED灯，发现它们所产生的电压在阳光下。 我一直在思考使用LED作为光敏传感器。反向偏置它们，并测量它们随光线变化的反向电流。然而，在野外，在阳光下，LED指示灯是否能自身产生电流，这让我思考。 LED在阳光下能产生相当多的电压。绿色的产生约1.65V，有的竟有1.74V。它们不是硅光伏电池，怎么会这样？ 嗯

在结型场效应管中，栅极和沟道间的PN结是反向偏置的，所以输入电阻很大。但PN结反偏时总会有一些反向电流存在，这就限制了输入电阻的进一步提高。如果在栅极与沟道间用一绝缘层隔开，便制成了绝缘栅型场效应管，其输入电阻可提高到 。根据绝缘层所用材料之不同，绝缘栅场效应管有多种类型，目前应用最广泛的一种是以二氧化硅（SiO2）为绝缘层的金属一氧化物一半导体（Meial-Oxide-Semiconductor）场效应管，简称MOS场效应管（MOSFET）。它也有N沟道和P沟道两类，每类按结构不同又分为增强型