场效应管（Fjeld Effect Transistor简称FET ）是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件，故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。与双极型晶体三极管相比，它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点。 场效应管有两大类，结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET，后者性能更为优越，发展迅速，应用广泛。图Z0121 为场效应管的类型及图形、符号。 一、 结构与

用指针式万用表检测场效应管的一些方法，判断电极、检查好坏、无标志场效应管的检测以及放大能力的检测 １、用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电

一、 场效应管的分类 按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。 二、 场效应管的型号命名方法 现行场效应管有两种命名方法。 第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母j代表结型场效应管，o代表绝缘栅场

LM1875主要参数： 电压范围：16～60V 静态电流：50MmA 输出功率：25W 谐波失真：〈0.02%，当f=1kHz，RL=8，P0=20W时 额定增益：26dB，当f=1kHz时 工作电压：25V 转换速率：18V/S JRC5532是DIP8脚双运放，内部为JFET（结型场效应管结构）。JRC5532用NE5532可以直接代换。

土壤含水量检测电路（盆花缺水提醒装置） 盛夏时节天气很热，种植的盆栽花土壤极易干燥缺水，如果忘记了浇水一两天之后就会枯死。如果有一种土壤缺水提醒装置会很不错哦。本文电路正是遵循这一思路而制作。 如图所示，这是一个由555时基集成电路和一些分立元件组成的测量土壤含水量的电路，其中由N沟道结型场效应管3DJ6E构成高阻输入检测电路，配合插入土壤的电极进行含水量检测。 当花盆缺水时，土壤的电阻率便增加，这时A、B两根电极间电阻很大，场效应管3DJ6E的栅极接近负电源电压，所以截止。但晶体三极管BG2

这个简单的电路混合两个或更多通道为一个通道（如立体声到单声道）。该电路可以混合尽可能多或尽可能少的渠道，你喜欢和功耗极低。该混频器显示具有两个输入，但你可以添加你想要的只是通过复制前端电路，这显然是在原理图上可见。 电路利用场效应管兆欧级的高输入阻抗实现多路信号的合并。 配件 R1，R310K电位器 R2，R4100K 1/4 W电阻 R56.8K 1/4 W电阻 C1，C2，C30.1uF电容 Q12N3819结型场效应管 备注 尽可能多或尽可能少的信道作为需要可以加入到混合器中。通过只复

在结型场效应管中，栅极和沟道间的PN结是反向偏置的，所以输入电阻很大。但PN结反偏时总会有一些反向电流存在，这就限制了输入电阻的进一步提高。如果在栅极与沟道间用一绝缘层隔开，便制成了绝缘栅型场效应管，其输入电阻可提高到 。根据绝缘层所用材料之不同，绝缘栅场效应管有多种类型，目前应用最广泛的一种是以二氧化硅（SiO2）为绝缘层的金属一氧化物一半导体（Meial-Oxide-Semiconductor）场效应管，简称MOS场效应管（MOSFET）。它也有N沟道和P沟道两类，每类按结构不同又分为增强型

用一般的万用表是不能测出晶振的好坏的，这里提供了一种简单而实用的晶振检验器，它只采用一个 N 沟道结型场效应管（FET），两个普通 NPN 小功率晶体三极管，一个发光管和一些阻容元件，便可有效的检验任何晶振的好坏。 如图所示，2N3823 结型 N 沟道场效应管（可用任何其它型号的同类小功率场效应管，如 3DJ6，3DJ7 等）与被测晶体（晶振）等组成一个振荡器，两个两个 NPN 三极管 2N3904（也可用其它任何型号的小功率 NPN 三极管）接成复合检波放大器，驱动发光二极管 LED。若被测