整流二极管通常应用于电源电路中，利用其单向导电性将交流电转换成直流电。 整流二极管和普通二极管的区别是：整流二极管的PN结面积较大，故结电容比较大，不适合在高频条件下工作，同时正向电流比较大，反向击穿电压比较高，适合于大功率、高电压下工作。目前整流二极管基本为由硅材料制造，稳定性好，比较耐高温。 整流二极管P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（硅管为0.7

NTC负温度系数热敏电阻工作原理 NTC是Negative Temperature Coefficient 的缩写,意思是负的温度系数,泛指负温度系数很大的半导体材料或元器件，所谓NTC热敏电阻器就是负温度系数热敏电阻器。它是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成的。这些金属氧化物材料都具有半导体性质，因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料。温度低时，这些氧化物材料的载流子（电子和孔穴）数目少，所以其电阻值较高；随着温度的升高，载流子数目增加，所以电阻值降低。NTC

一、单极型晶体管 单极型晶体管也称 场效应管 ，简称FET(Field Effect Transistor)。它是一种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与导电，故称为单极型晶体管。 特点： 输入电阻高，可达10 7 ~ 10 15 ，绝缘栅型场效应管(IGFET) 可高达 10 15 。 噪声低，热稳定性好，工艺简单，易集成，器件特性便于控制，功耗小，体积小，成本低。 分类： 根据材料的不同可分为 结型场效

一、半导体 物体视其导电能力的不同分为导体、半导体、绝缘体。 导电能力介于导体和绝缘体之间，且随外界条件而显著变化的物体称之为半导体 。 二、半导体的特性三个特性 光敏特性； 热敏特性； 杂敏特性（最突出的特点） 三、三种半导体 (一）本征半导体：非常纯净不含杂质的半导体 当受到光照或加热时，共价键中少数电子获得足够的能量跳出共价键成为自由电子，由光或热激发的电子与空穴成对产生。电子带负电，空穴带正电，由于它们都是携带电荷带的粒子，又简称为载流子。电子、空穴对又会复合而消失，本征半导体中载流子

发光二极管（LED）一般由磷砷化镓、磷化镓等材料制成．它的内部存在一个PN结，也具有单向导电性，但发光二极管在正向导通时会发光，光的亮度随导通电流增大而增强，光的颜色与波长有关。 发光二极管（LED）是一种直接注入电流的发光器件,是半导体晶体内部受激电子从高能级回复到低能级时,发射出光子的结果,这就是通常所说的自发发射跃迁.当LED的PN结加上正向偏压,注入的少数载流子和多数载流子(电子和空穴)复合而发光.值得注意的是,对于大量处于高能级的粒子各自分别自发发射一列一列角频率为 =Eg/h的光波,

MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。 其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而

二极管具有电容效应。它的电容包括势垒电容CB和扩散电容CD。 1．势垒电容CB（Cr） PN结内缺少导电的载流子，其电导率很低，相当于介质；而PN结两侧的P区、N区的电导率高，相当于金属导体。从这一结构来看，PN结等效于一个电容器。 事实上，当PN结两端加正向电压时，PN结变窄，结中空间电荷量减少，相当于电容放电，当PN结两端加反向电压时，PN结变宽，结中空间电荷量增多，相当于电容充电。这种现象可以用一个电容来模拟，称为势垒电容。势垒电容与普通电容不同之处，在于它的电容量并非常数，

稳压二极管(又叫齐纳二极管)，此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定。 稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。其伏安特性和电路符号见图1。 稳压二极管是用于稳定电压的单PN结二极管。结构同整流二极管。加在稳压二极管的反向电压增加到一定数值时，将可能有大量载流子隧穿PN结的位垒，形成大的反向电流，此时电压基本不变，称为隧道击穿

场效应管控制工作电流的原理与普通晶体管完全不一样，要比普通晶体管简单得多，场效应管只是单纯地利用外加的输入信号以改变半导体的电阻，实际上是改变工作电流流通的通道大小，而晶体管是利用加在发射结上的信号电压以改变流经发射结的结电流，还包括少数载流子渡越基区后进入集电区等极为复杂的作用过程。场效应管的独特而简单的作用原理赋予了场效应管许多优良的性能，它向使用者散发出诱人的光辉。 场效应管不仅兼有普通晶体管和电子管的优点，而且还具备两者所缺少的优点。场效应管具有双向对称性，即场效应管的源极和漏极是可

场效应管（Fjeld Effect Transistor简称FET ）是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件，故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。与双极型晶体三极管相比，它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点。 场效应管有两大类，结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET，后者性能更为优越，发展迅速，应用广泛。图Z0121 为场效应管的类型及图形、符号。 一、 结构与

场效应晶体管（Field Effect Transistor）英文缩写FET，简称场效应管，是根据晶体三极管的原理开发出的新一代放大元件，由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。场效应管有3个电极：栅极，漏极，源极。栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。它同时具有噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，是电流控制型晶体管的强大竞争者。 场效应管的分类： 场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类。 按沟道材料:结型和绝

发光二极管发明于20世纪60年代。1962年，尼克霍洛尼亚柯制成世界上第一支发光二极管。尼克霍洛尼亚柯当时是通用电气公司的一名普通研究人员，他当初发明的这种发光二极管只能发红光。现在，人们已制成能发黄、绿、蓝、白等不同色彩的发光二极管。 发光二极管是一种半导体固体发光器件。它是利用固体半导体芯片作为发光材料，在半导体中通过载流子发生复合放出过剩的能量而引起光子发射，直接发出红、黄、蓝、绿、青、橙、紫、白色的光。 发光二极管简称为LED。由镓（Ga）与砷（AS）、磷（P）的化合物制成的二极