半导体器件型号命名方法

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发布时间 2008-11-28

一、中国半导体器件组成部分的符号及意义 

1 中国半导体器件组成部分的符号及意义

第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分
用数字表示器件电极数目 用汉语拼音字母表示器件的材料和极性 用汉语拼音字母表示器件的类型 用数字表示器件的序号 汉语拼音字母表示规格号
符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义    
2 二极管 A N型锗材料 P 普通管 D 低频大功率管    
B P型锗材料 V 微波管 A 高频大功率管    
C N型硅材料 W 稳压管 T 半导体闸流管    
D P型硅材料 C 参量管 X 低频小功率管    
    Z 整流管 G 高频小功率管    
3 三极管 A PNP型锗材料 L 整流堆 J 阶跃恢复管    
B NPN型锗材料 S 隧道管 CS 场效应管    
C PNP型硅材料 N 阻尼管 BT 特殊器件    
D NPN型硅材料 U 光电器件 FH 复合管    
E 化合物材料 K 开关管 PIN PIN管    
    B 雪崩管 JG 激光器件    
    Y 体效应管        
备注 低频小功率管指截止频率<3MHZ、耗散功率<1W,高频小功率管指截止频率≥3MHZ、耗散功率<1W,低频大功率管指截止频率<3MHZ、耗散功率≥1W,高频大功率管指截止频率≥3MHZ、耗散功率≥1W。

例如锗PNP高频小功率管为3AG11C。

3(三极管)A(PNP型锗材料)G(高频小功率管)11(序号)C(规格号)

二、美国电子半导体协会半导体器件型号命名法

2 美国电子半导体协会半导体器件型号命名法

第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分
用符号表示用途的类别 用数字表示PN结的数目 美国电子半导体协会(EIA)注册标志 美国电子半导体协会(EIA)登记顺序号 用音字母表示器件分档
符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义
JAN或J 军用品 1 二极管 N 该器件已在美国电子半导体协会登记顺序号 多位数字 该器件已在美国电子半导体协会登记顺序号 ABCD 同一型号不同档别
2 三极管
非军用品 3 3个PN结器件
4 N个PN结器件

三、日本半导体器件型号命名方法

表3 日本半导体器件型号命名方法

第一部分:器件
类型或有效电极数
第二部分:日本
电子工业协会
注册产品
第三部分:类别 第四部分:
登记序号
第五部分:
产品
改进序号
数字 含义 字母 含义 字母 含义 用两位以上的整数表示在日本电子工业协会注册登记的顺序号 用字母A、B、C、D……表示 对原来型号的改进
0 光敏二极管、晶体管或其组合管 S 表示已在日本电子工业协会(JEIA)注册登记的半导体分立器件 A PNP型高频管
B PNP型低频管
C NPN型高频管
D NPN型低频管
1 二极管 F P门极晶闸管
2 三极管或具有两个pn结的其他器件 G N门极晶闸管
3 具有四个有效电极或具有三个PN结的晶体管 H N基极单结晶体管
J P沟道场效应管
K N沟道场效应管
M 双向晶闸管

标签: 半导体, 型号, 命名
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