晶体管元件查询
型号：160N10
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：225 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0042 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管2SK618FQL40N50A09TIRF7322SK2738MXP8835AF2SK182，182ENCE3030KLNC10R1802N7222IXFH1N100FLM3742-18DA2SK3067CS100N06D3STV4N100