晶体管元件查询
型号：2N60
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：42 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】2 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】2 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：4.4 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管IRFZ24FHP100N8F6AIRFP4242PbFLSGN04R029DH90N03CEP80N75SSH10N70FLM4450-18DABSP149PHD78NQ03LTJCS730FSSH6N702SK3163MTP5N40IRFSL4710PbF