晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：2SK779
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：0.2 W
漏极电流（ID）：0.12 A
漏极和源极电压（VDSS）：5 V
封装：4-222

更多N沟道场效应管BUK9540-100AIXTM5N100IRF143EMA09N03CSSGB450N50W3SVT078R0NTCS20N50HUF75852G32SK3520-01MRRF1S70N06IRFB38N20DSTB10NK60ZT42SK3476IRFPC50FHX35X

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