晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:SGB450N50W3
类型:N沟道场效应管
漏极电流(ID):9 A
漏极和源极电压(VDSS):500 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.45 Ω
封装:TO-263

更多N沟道场效应管H6N80IRFU215IPD60R600P7S(60S600P7)SPI12N50C3LSGC04R025IRF630BSTU13NM60N2SK1415IPD090N03LFHP20N40A4N65KFQP20N65SLI12N65C2SK29562SK817

中文 - English

电子爱好者