晶体管元件查询
型号：RF1S70N06
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】150 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】150 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】70 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】70 A
漏极和源极电压（VDSS）：60 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.014 Ω
封装：TO-262
更多N沟道场效应管2SK951FHD80N06BSTP80NF55-06SSF7N80AKIA2808ALSB55R140GTSTB80NF55-08T4IRF1404ZLPbFHY3408APSLSB65R180GFLSH65R380HTSGF360N70W3FQPF13N50CIRF1312IXFN180N07