晶体管元件查询
型号：3DG100C
类型：NPN三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：0.1 W
集电极最大允许电流（ICM）：0.02 A
集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：30 V
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：20 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：0.01 μA
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：0.01 μA
特征频率（fT）：300 MHz
直流放大系数（hFE）：≥30
芯片材质：硅
更多NPN三极管3DG100A3DG203A3DG140A3DG202A3DG1483DG19B3DG203B2SC5353DG101B3DG101C3DG144B3DG140B3DG141C3DG200B3DG026