晶体管元件查询
型号：3DG101C
类型：NPN三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：0.1 W
集电极最大允许电流（ICM）：0.02 A
集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：40 V
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：30 V
发射极与基极反向击穿电压（BVEBO）：4 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：0.03 μA
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：0.05 μA
发射极与基极反向漏电流（IEBO）：0.01 μA
集电极与发射极饱和电压（VCE(sat)）：
【集电极电流（Ic）＝0.01 A】0.35 V
【集电极电流（Ic）＝0.01 A】0.35 V
特征频率（fT）：150 MHz
直流放大系数（hFE）：30~270
芯片材质：硅
更多NPN三极管3DG201C3DG19F2SC2883DG200C2SC17193DG19E3DG140C3DG100A3DG202B3DG91A3DG104C3DG202C3DG56B3DG6B3DG101A