晶体管元件查询
型号：3DG200B
类型：NPN三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：0.1 W
集电极最大允许电流（ICM）：0.02 A
集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：25 V
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：25 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：0.05 μA
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：0.1 μA
特征频率（fT）：100 MHz
直流放大系数（hFE）：25～270
芯片材质：硅
更多NPN三极管3DG141C3DG102A3DG146A3DG144C3DG6D2SC4033DG144B2SC2883DG202A2SC5353DG104D3DG140A3DG100D3DK6A3DG141A