晶体管元件查询
型号：3DG100M
类型：NPN三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：0.1 W
集电极最大允许电流（ICM）：0.02 A
集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：20 V
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：15 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：0.01 μA
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：0.01 μA
特征频率（fT）：150 MHz
直流放大系数（hFE）：25～270
芯片材质：硅
更多NPN三极管3DG103D3DG11A3DG140B2N6473DG200A3DG104C3DG6B3DG201A3DG103C2SC2883DG203ATF3023DG19B3DG101C3DG102D