晶体管元件查询
型号：3DG104C
类型：NPN三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：0.1 W
集电极最大允许电流（ICM）：0.02 A
集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：20 V
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：15 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：0.1 μA
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：0.1 μA
特征频率（fT）：700 MHz
直流放大系数（hFE）：≥30
芯片材质：硅
更多NPN三极管3DG140B3DG202B3DG19F2SC19233DG142C3DG202C3DG100M3DG144BTF3023DG103D2N13673DK3A3DG103B3DG101C3DG203A