晶体管元件查询
型号：4N65P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：50 W
漏极电流（ID）：
【环境温度（Ta）＝25 ℃】4 A
【环境温度（Ta）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.6 Ω
封装：TO-251
更多N沟道场效应管SGM2004MIRFB74464N65FFTW20N60AIXFX27N80QNCEP02T102SK1238STU6NA100IRFP4668PbF2SK856IRFRC20STW12N60IRLD120STH10NC60FIIXTA50N25T