晶体管元件查询
型号：IXTA50N25T
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】400 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】400 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】50 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】50 A
漏极和源极电压（VDSS）：250 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.06 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管LND10R18010N65FCLSE65R930GTKIA8606A2SK1548-01MRSMK630DDHF140N09FQD20N06TMS70N08SSVF2N60LSB55R140GFIRFU111FK20SM-5LNDN12N65S80N08S