晶体管元件查询
型号：8N60B
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：155 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管SVF18N50PNLSG65R930GTSTP100N8F6SGW420N80W3MDD1902STP80NF55-06DH3278IRF621IRFP4710FQPF3N25IRFSZ30DHF90N040RFTN25D50IPI030N10N3MGFK33M4045