晶体管元件查询
型号：MDD1902
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】83 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】83 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.028 Ω
封装：D-PAK
更多N沟道场效应管IPB200N25N3G(200N25N)IRFP3077PbFIXFH1N100IRF243FQU19N10PHB50N06LTDH0159LNC12N652SK3301TSTP40NF03LIXFN106N20FLR106XVIPA086N10N3G(086N10N)LSD65R380GF2SK875