晶体管元件查询
型号：CS8N50
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.9 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管FS3KM-16AFK20SM-10IRFK2D054SVF10N60ASTU4N62K35N60CIRF423HYG018N10NS1PIXTP5N60P2SK2638FLM1414-8CRU70190R2SK3699-01MR3N25LNH045R140