晶体管元件查询
型号：IXTP5N60P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：100 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】5 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】5 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.7 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管HM3N25ISGD600N60W3LSF65R380HTLSGN04R025IXFH1N80STW6NA902SK553IRFBF20SKSS042N10NLSH65R930GTHY5208WHM20N50ALSC65R930GTLNH06R1109N20