晶体管元件查询
型号：DHB100N03
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：100 A
漏极和源极电压（VDSS）：30 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0033 Ω
总耗散功率（Ptot）：120 W
封装：TO-251B
更多N沟道场效应管CJQ07N10MDP5N50FIXTM4N70(A)2SK1917MBUZ330DHI100N06SGB600N65W3SSF10N80AFSW25N50ADH070N06STW9NK95ZHYG011N04LS1C2LND04R035BBUK437/400BIPP200N25N3G(200N25N)