晶体管元件查询
型号：HYG011N04LS1C2
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】75 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】75 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】165 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】165 A
漏极和源极电压（VDSS）：40 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0014 Ω
封装：DFN5X6-8L
更多N沟道场效应管STH5N90HFP10N60UIPLU300N04S4-R7(4N04R7)SGU1K1N70W3BUZ73AIRF841FIIRFM140IPA60R299CP(6R299P)NEZ0910-4AIRFP243SVF5N60ASTB4NK60ZT4DHE180N10LNH045R0902SK1180