晶体管元件查询
型号：DHB180N10
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：180 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0043 Ω
总耗散功率（Ptot）：346 W
封装：TO-251B
更多N沟道场效应管SVD640TIRL3302TK8P25DAFTW30N20ANCE01H14T2SK3564TS300VSGD600N70W3FQD2N100BF256BFSX52XLNC7N65FLM1011-12DSTH6NA80MGFX35V9095