晶体管元件查询
型号：HYG024N03LR1D
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】57 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】57 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
漏极和源极电压（VDSS）：30 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0028 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管LSH65R380GT2SK357LSB55R050GTIRF244MGFK35V2228IPI80N04S4-03(4N0403)MMF60R190PLSG65R1K5HTIRFF421KIA50N062SK3767FTA10N60CHY3210BDHI130N03BUK9635-55A