晶体管元件查询
型号：FHD100N03D
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：61 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
漏极和源极电压（VDSS）：30 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0055 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管2SK3235IPB072N15N3GCEP80N7514N6015N652SK786MDU1515STY139N65M5RF1S70N03LSGE085R041W3FTA02N60CSVD640THY4504A15N60DH85N055R