晶体管元件查询
型号：FQB3N25
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】45 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】45 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】2.8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】2.8 A
漏极和源极电压（VDSS）：250 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.2 Ω
封装：D2PAK
更多N沟道场效应管FLK102XVIRFR3806PbFME35N10MTP8N182SK2850-01DHI1404T3SK113S85N12RP2SK3699-01MRIRF833FLM1213-8CLNE08R085STP16NF06FPTK110Z65ZSPW20N60CFD