晶体管元件查询
型号：FQD20N06TM
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】38 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】38 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】16.8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】16.8 A
漏极和源极电压（VDSS）：60 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.063 Ω
封装：D-PAK
更多N沟道场效应管IXTM4N80(A)HYG035N10NS2PMDF18N50SSH6N70IRFJ243IXFT44N50PIRF640BLND12N602SK3587-01MR2SK1043IRFAE52SLP13N50A2SK430MGF2124MTP3055VL