晶体管元件查询
型号：FQH8N100C
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】225 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】225 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：1000 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.45 Ω
封装：TO-247
更多N沟道场效应管DHD1710SPW47N60C3JCS8N60CIPP05CN10NFQPF20N652SK3797HY5608A2SK1943RFM8N20LSDN60R1K4HTNCEP039N10IRL5202SK21342SK273FQU2N100