晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：LSDN60R1K4HT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：18 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】3 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.4 Ω
封装：TO-220MF

更多N沟道场效应管IRF14042SK25442SK2351LNG03R031SVD10N602SK3446MGF0905FSX53W/WFSTD11N65M2QM3006D2SK1217IRFK2D150CSJ64N12IRF234MGFX38V0510

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