晶体管元件查询
型号：FQP12N60C
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：225 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.65 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管IRF1404S/L60N022SK42122SK1688CMP100N03LNC04R050CHM94TMMD60R580PBAOD4782SK69TK13A60DSGF160N60W3AP95T07GPDHE150N10LNH06R079