晶体管元件查询
型号：FQP20N65
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】417 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】417 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】20 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】20 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.36 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管TK62Z60XLND16N60FMH08N80ELH75N03IRF132IRFJ342IRC350OR01H28LSC65R380GFBUK138-50DL2SK11702SK1885IRF840BSGB450N50W3IRF351