晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:IRF840B
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
156 W
漏极电流(ID):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
8.7 A
漏极和源极电压(VDSS):500 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.85 Ω
封装:TO-220AB

更多N沟道场效应管IXTH6N70(A)IRF4468IRFK4J45010N60LSD65R099GTIRF245IPI075N15N3GLSB65R099GTLNH045R090TK5P65WSGT180N60W3LSB65R070GFFQPF8N65C65R3003SK97

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