晶体管元件查询
型号：GNW190N08Q
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：400 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】190 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】190 A
漏极和源极电压（VDSS）：80 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0041 Ω
封装：TO-3P
更多N沟道场效应管MGF1802MDU1512DH3278IRFU220STB55NF03LSTP12NM50NLNN03R031STW14NK50ZAF75N02RF1S70N06SMKHB9D5N20P1IXFH6N10075N10DCEP80N75FDP5N60NZ