晶体管元件查询
型号：AF75N02
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：66 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】66 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】66 A
漏极和源极电压（VDSS）：25 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.018 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管FQD50N062SK9042SK570S2SK3643N6516N60STF18N60M2LNH2N65STFW4N150SGI600N65W3PHP45N03LTFLC103WG3N25HYG016N04LS1PJCS8N65FB