晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:STF12NM50N
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
25 W
漏极电流(ID):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
11 A
漏极和源极电压(VDSS):500 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.38 Ω
封装:TO-220FP

更多N沟道场效应管2SK3577CSD19505KCSSTB80NF03LBUK438/800BIRF431VCRR65T180FIR2N80BPGSTP12NM50IXFH7N90LSD65R760GTJCS8N60FIPI120N06S4-H1(4N06H1)FHS40N20DS80N10S2SK2538

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